一种氧化镁烧结体靶材的微量硅元素均匀掺杂方法[发明专利]

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专利名称：一种氧化镁烧结体靶材的微量硅元素均匀掺杂方法专利类型：发明专利发明人：曾卫军

申请号：CN201510931180.X申请日：20151215公开号：CN105503159A公开日：20160420

摘要：本发明公开了一种氧化镁烧结体靶材的微量硅元素均匀掺杂方法。首先将硅源溶解制备成前驱液：当所用硅源为可溶于水的如硅酸钠、硅酸、硅酸钾等，直接用去离子水溶解，再进行定容，形成前驱液；当所用硅源为可溶于有机溶剂的硅源，如正硅酸乙脂、三甲基硅醇、四乙酰氧基硅烷等，先溶解于有机溶剂，再以乙醇-水进行定容，形成前驱液。前驱液再与一定重量比的氧化镁原料在球磨机中混合，制备成浆料，从而完成硅元素的均匀掺杂。此浆料再进行喷雾造粒、压制成型、烧结等工序，制备成微量硅元素掺杂的氧化镁烧结体靶材。本发明掺杂时间短，均匀性高，适合工业化应用。

申请人：营口镁质材料研究院有限公司

地址：115000 辽宁省营口市大石桥有色金属(化工)园区有色路28号

国籍：CN

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