专利名称：CMOS图像传感器及其制造方法专利类型：发明专利发明人：黄俊
申请号：CN2006101065.7申请日：20060922公开号：CN1937238A公开日：20070328
摘要：提供了一种CMOS图像传感器及其制造方法。该CMOS图像传感器包括半导体衬底，具有光电二极管和晶体管。层间绝缘层形成在半导体衬底的整个表面上。第一、第二和第三滤色镜层在层间绝缘体上以规则间隔形成。第一、第二和第三微透镜分别形成在第一、第二和第三滤色镜层上。微透镜具有至少两个不同的曲率。
申请人：东部电子有限公司
地址：韩国首尔
国籍：KR
代理机构：中原信达知识产权代理有限责任公司
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