一种刻蚀终点确定方法、晶圆刻蚀方法以及刻蚀系统

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201711159284.9 （22）申请日 2017.11.20

（71）申请人 上海陛通半导体能源科技股份有限公司

地址 201203 上海市自由贸易试验区郭守敬路498号8幢19501-19503室

（10）申请公布号 CN107919273A

（43）申请公布日 2018.04.17

（72）发明人

（74）专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司

代理人 李婷婷

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（）发明名称

一种刻蚀终点确定方法、晶圆刻蚀方法以及刻蚀系统

（57）摘要

本申请提供一种刻蚀终点确定方法、晶圆

刻蚀方法以及刻蚀系统，所述刻蚀终点确定方法采用矩形窗口选取波峰或波谷附近的多个数据，计算得到波峰或波谷的较为准确的位置，再以最后的半个周期的刻蚀速率作为最后不足半个周期的样品晶圆刻蚀速率，从而将多个刻蚀时间求和，得到最终样品晶圆的刻蚀终点对应的刻蚀时间，得到样品晶圆的刻蚀终点。相对于现有技术中认为刻蚀速率为均匀的，且光谱数据为平滑曲

线而言，考虑了更多的影响因素，从而使得刻蚀终点的确定更加精确，使后续晶圆刻蚀的刻蚀终点更加精确，减少了刻蚀不到位或过量刻蚀的情况出现，进而提高了产品合格率。

法律状态

法律状态公告日

2018-04-17 2018-04-17 2018-04-17 2018-05-11 2018-05-11 2019-11-12

法律状态信息

公开 公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效

发明专利申请公布后的撤回法律状态

公开 公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效

发明专利申请公布后的撤回

权利要求说明书

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说明书

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