用于块体FinFET技术的漏极延伸MOS器件[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：用于块体FinFET技术的漏极延伸MOS器件专利类型：发明专利

发明人：M.什里瓦斯塔瓦,H.戈斯纳申请号：CN201310276227.4申请日：20130703公开号：CN103531633A公开日：20140122

摘要：本发明涉及用于块体FinFET技术的漏极延伸MOS器件。一些方面涉及一种包括被布置在半导体衬底之上且在源极区和漏极区之间侧向延伸的半导体鳍的FinFET。浅沟槽隔离（STI）区侧向包围半导体鳍的下部，并且半导体鳍的上部保留在STI区之上。栅极电极横越在半导体鳍之上以在导电栅极电极之下的半导体鳍中定义沟道区。穿通阻断区能够在半导体鳍的下部中在源极区和沟道区之间延伸。漏极延伸区能够在半导体鳍的下部中在漏极区和沟道区之间延伸。还公开了其他器件和方法。

申请人：英特尔移动通信有限责任公司

地址：德国诺伊比贝格

国籍：DE

代理机构：中国专利代理()有限公司

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