专利名称:参考电压产生电路专利类型:发明专利发明人:徐光磊
申请号:CN201310030518.5申请日:20130125公开号:CN103092253A公开日:20130508
摘要:一种参考电压产生电路。所述电路包括:电流镜单元、第一电阻、第二电阻和温度系数补偿单元,所述温度系数补偿单元包括:第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管,所述第一NMOS管的栅极与漏极相连并连接所述第一电阻的第二端,源极接地;所述第二NMOS管的栅极与漏极相连并连接所述电流镜单元的第一节点,源极接地;所述第三NMOS管的栅极与漏极相连并连接所述第二电阻的第二端,源极接地;所述第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管工作在亚阈值区或饱和区;所述第一电阻的第一端连接所述电流镜单元的第二节点;所述第二电阻的第一端连接所述电流镜单元的第三节点。本发明参考电压产生电路的工作电压范围较宽且该电路的功耗低。
申请人:上海宏力半导造有限公司
地址:201203 上海市浦东新区浦东张江高科技园区祖冲之路1399号
国籍:CN
代理机构:北京集佳知识产权代理有限公司
代理人:骆苏华
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