专利名称：一种氮化镓基场效应晶体管及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：于洪宇,曾凡明,汪青,林新鹏,周智辉申请号：CN201911133631.X申请日：20191119公开号：CN110690284A公开日：20200114
摘要：本发明实施例公开了一种氮化镓基场效应晶体管及其制备方法，其中氮化镓基场效应晶体管结构包括：衬底、缓冲层、背势垒层、沟道层、势垒层、p型栅层和钝化层；与p型栅层接触的栅极，以及与势垒层接触的源极和漏极，其中，栅极位于第一区域，源极和漏极位于第二区域，p型栅层在第二区域的膜层中的p型掺杂剂未激活。显著改善了栅极刻蚀工艺，解决传统工艺中p型材料必须完全去除的问题，使得刻蚀的容错率更低，适合于大批量生产，这种技术方法增加了栅极刻蚀的工艺窗口宽度，不受刻蚀工艺精度限制，使得栅极刻蚀可控性高，重复性好。
申请人：南方科技大学
地址：518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号
国籍：CN
代理机构：北京品源专利代理有限公司
代理人：孟金喆
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