专利名称：一种绝缘体上硅结构及其方法专利类型：发明专利发明人：魏星,高楠,薛忠营申请号：CN202011443228.X申请日：20201208公开号：CN112582332A公开日：20210330
摘要：本发明提供的一种绝缘体上硅结构及其方法，所述绝缘体上硅结构的方法包括以下步骤：提供一键合结构，所述键合结构包括第一衬底、第二衬底和绝缘埋层，所述绝缘埋层位于所述第一衬底和第二衬底之间；从所述键合结构上剥离去除部分厚度的所述第一衬底，以得到绝缘体上硅结构；通过恒温退火工艺平坦化处理所述绝缘体上硅结构，所述恒温退火工艺的压强低于常压。本发明通过恒温退火工艺平坦化处理所述绝缘体上硅结构，所述恒温退火工艺的压强低于常压，可以有效减少滑移线的数量，同时不会影响顶层硅的平坦化效果。
申请人：上海新昇半导体科技有限公司,中国科学院上海微系统与信息技术研究所
地址：201306 上海市浦东新区泥城镇云水路1000号
国籍：CN
代理机构：上海思捷知识产权代理有限公司
代理人：王宏婧
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