您的当前位置：首页一种高质量MOS界面的常关型GaNMOSFET结构

一种高质量MOS界面的常关型GaNMOSFET结构

来源：好土汽车网

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）实用新型专利

（21）申请号 CN201721427178.X （22）申请日 2017.10.31 （71）申请人中山大学

地址 510275 广东省广州市新港西路135号

（10）申请公布号 CN2076049U

（43）申请公布日 2018.07.27

（72）发明人刘扬;阙陶陶

（74）专利代理机构广州粤高专利商标代理有限公司

代理人陈伟斌

（51）Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

（）发明名称

一种高质量MOS界面的常关型GaNMOSFET结构

（57）摘要

本实用新型涉及半导体器件的技术领域，

更具体地，涉及一种高质量MOS界面的常关型GaN MOSFET结构。本实用新型利用二次外延高温生长的过程中，掩膜层与GaN界面形成的一层致密的介质层，有效地钝化了GaN材料表面悬挂键，在后续工艺过程中减少了Ga‑O键的进一步形成，从而改善了器件的性能。所述外延层包括一次外延生长的GaN外延层基板以及选择区域二次外延生长的非掺杂GaN外延层、异质结势垒层。

所述凹槽栅由二次外延生长接入区材料时自然形成。栅极绝缘介质层覆盖在凹槽沟道、二次外延层的侧壁及表面之上，通过刻蚀绝缘层的两端形成源、漏极区域，再通过金属蒸镀形成欧姆接触电极。本实用新型利用选择区域外延技术制备了具有高质量界面的槽栅MOS器件，明显地提高了器件的阈值电压稳定性。

法律状态

法律状态公告日

2018-07-27

法律状态信息

授权

法律状态

授权

权利要求说明书

一种高质量MOS界面的常关型GaNMOSFET结构的权利要求说明书内容是....请下载后查看

说明书

一种高质量MOS界面的常关型GaNMOSFET结构的说明书内容是....请下载后查看

因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容

查看全文