（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201010578089.1 （22）申请日 2010.12.08
（71）申请人 无锡华润上华科技有限公司
地址 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
（10）申请公布号 CN102543666A
（43）申请公布日 2012.07.04
（72）发明人 李健;杨兆宇;赵志勇;张明敏;李丽丽 （74）专利代理机构
代理人
（51）Int.CI
H01L21/02; H01L21/311;
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
多晶硅的制程方法
（57）摘要
本发明提供了一种多晶硅的制程方法，其
包括如下步骤：先将多晶硅表面进行氮氧化硅淀积，使多晶硅表面覆盖有氮氧化硅；然后，对所述多晶硅进行光刻；再将光刻后的多晶硅进行刻蚀；随后，将刻蚀后的多晶硅依次经过磷酸溶剂和硫酸双氧水混合溶剂；最后，对所述多晶硅进行退火氧化处理。相较于现有技术，本发明所述
的多晶硅的制程方法的有益效果是：将所述多晶硅经过磷酸溶剂后再经过硫酸双氧水混合溶剂，使得残留在多晶硅表面的磷元素被硫酸双氧水混合溶剂除去，防止磷元素残留在多晶硅表面而形成结晶。
法律状态
法律状态公告日
2012-07-04 2014-01-22 2016-08-03
法律状态信息
公开
实质审查的生效
发明专利申请公布后的视为撤回
法律状态
公开
实质审查的生效
发明专利申请公布后的视为撤回
权利要求说明书
多晶硅的制程方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
多晶硅的制程方法的说明书内容是....请下载后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容