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一种功率半导体器件封装结构及封装方法

来源：好土汽车网

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201811146181.3 （22）申请日 2018.09.28

（71）申请人全球能源互联网研究院有限公司

地址 102209 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号

（10）申请公布号 CN109273371A

（43）申请公布日 2019.01.25

（72）发明人武伟;李现兵;吴军民;张朋;韩荣刚

（74）专利代理机构北京三聚阳光知识产权代理有限公司

代理人李博洋

（51）Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

（）发明名称

一种功率半导体器件封装结构及封装方法

（57）摘要

本发明公开了一种功率半导体器件封装结

构，该封装结构包括：至少一个封装子模组，该封装子模组包括：上垫片、功率芯片、下垫片、下框架和栅极探针，功率芯片设置于下垫片上；上垫片设置于功率芯片上；上垫片的尺寸不小于下垫片的尺寸，且上垫片的尺寸与下垫片的尺寸的差异小于预设差值；下框架设置于功率芯片和下垫片之间，下框架与功率芯片的终端区粘接，通过实施本发明，有效地减小了功率半导体器件

封装时芯片的弯曲，避免了芯片因产生裂纹甚至发生脆断而失效，提高了功率半导体器件的可靠性；另一方面减小甚至消除了芯片终端和下框架之间的间隙，显著增加了芯片的耐压等级，满足电力系统对器件电压等级的要求。

法律状态

法律状态公告日

2019-01-25 2019-01-25 2019-02-26

法律状态信息

公开公开

实质审查的生效

法律状态

公开公开

实质审查的生效

权利要求说明书

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说明书

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