一． 准备工作
1. 实验前一天晚上最好拖一下地板，把实验台擦拭干净。 2. 准备用品清点：
Ｎ2，Ａr2罐（实验所需要气体检查）
镀膜所用的基片、螺丝刀、镊子、小皮囊和储存镀膜后用的袋子准备在实验
桌上。 手表或手机准备用来计时。 笔和记录本
二． 实验步骤
1. 打开主机柜和空调电源开关，开Ｎ2总开关，小开关保持关闭。
2. 旋开放气阀，向溅射腔内充入空气至内外气压平衡。注意小物品不要放在旁边以
免堵住进气口。 3. 开系统控制电源总开关，点“升”直到磁控室至上升停止。
4. 放置椅子后戴上手套，站在该椅子上取小盘。注意，挪位小盘至方便位置后，手
托住向上逆旋取下。 5. 安装衬底并合上磁控室。
A.将小盘反面，放于桌上塑料手套上。螺丝刀松开其旋钮。
B.用镊子取基片，用Ｎ2吹干。注意小开关旋开后，出气口不要对着有人的地方，方法是倾斜方向吹基片面。小部分不彻底时用小皮囊吹干。
C.装基片即衬底。先将三片衬底放于小盘中央，用镊子将其移动到合适的位置。按住夹子，用螺丝刀上紧后倒过检查是否掉，记住另一手托住。
D.安上小盘到磁控室上。摘掉手套，开Ｎ2吹洗衬底。
E.点红色“降”按钮不动合上磁控室。注意当磁控室快合时，用手掌贴其壁使其
吻合。开空调调节室温20－25度，一般22度。
6.机械泵抽真空。 A关闭进气阀门
B开机械泵1，开冷却水1、2、4，注意观察水是否流出或外流，第一次抽真空。 C开复合真空计，显示腔内气压，供监控和读数。 D观察真空计到20pa. 6. 分子泵抽真空。
当真空计为20帕时，开分子泵。方法：开电源，点FUNG DATA 按钮+start按钮
当分子泵到400时，把旋门打开至最大（逆时针旋转，不要旋转太过） 等待气压抽至10—3pa转为对保护气体导管抽空。此间保证Ar和N2关闭态
7. 气体导管抽空。开Ar进气阀等待真空计求数为1.5*10pa，进入“清洗”阶段。
—3
8. 清洗：将流量显示仪开关拨至清洗位，等抽真空至5.0*10pa,顺时针关闭Ar阀（磁控室左边）。
9. 通气体。开Ar总阀门，到流量显示仪趋于0时其上按钮拨至“关闭”位。 10. 若需要加热，则启动加热。
1) 点加热器启动键，设定温度值，点ENT确认温度值；并调功率到小于3W附
近。
—3
2) 大约5分钟左右时即剩下100度的提升空间时，开射频电源，使其与温控电源同时达到设定的温度。注意，温度必须达到，压强可以有所降低。 3) 开照明灯观察内部溅射情况。 11. 启辉：
当温度达到设定温度，同时观测压强达到10—3pa时打开Ar阀（磁控室左边）
开流量显示仪到“阀控”位，并调示数到80,注意接近所设值时要缓慢调节。 打开膜厚监测仪
顺时针关闭旋门（磁控室前方正面）使真空计达到示数1.0Pa 调节板压。打开板压，调“电压调节”使板压到500Ｖ
迅速开Ar阀（磁控室左边）实现启辉。此时靶材的挡板是关闭状态，真空
计响时，将其关闭。 等待预溅射5－10分钟。
12．溅射：
1. 打开膜厚监测仪上的“start”按钮，开挡板
2.再次点膜厚监测仪上的“start”按钮进行溅射与膜厚监测。注意设定所需要
参数。
3.调节电压与自偏压，使入射功率达到预定值，反射功率达到可调节的最小。调
节中注意，先大致调电压于300Ｖ，后粗调（右边）细调两次调其到最小功率。一般为不超过一格
4.等待溅射40分钟或其它时间。中间注意调整磁控室上方旋钮使溅射均匀，另
外适时调整入射与反射功率。临近结束时可记录板压、自偏压、板流。
13.溅射结束时，1将板压调到0，关闭挡板，若有加热要把功率调到0并关闭温度电
源让其降温。
2打开真空计按膜厚监测仪上的“Operating”记录腔内气压和最终
膜厚。记录后关闭膜厚监测仪与真空计。
3.关闭板压开关，关闭灯丝开关。
4.点分子泵stop按钮，等示数为0时关闭分子泵。
5.打开真空计，等真空计响气压为50pa时，关闭机械泵。关闭真空计与Ar阀。调流量监测仪到0关关闭，关闭电源。
6. 关闭空调，关闭主机柜和空调总空气开关，关好门窗，关灯最后离开实验室。
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